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          硅 Si 光電二極管探測器放大器 Photop?混合系列 350nm-1100nm/200nm-1100nm  

          硅 Si Photop?系列,將光電二極管和運算放大器集合在同一封裝中。Photops?通用檢測器的光譜范圍為350nm至1100nm或200nm至1100nm。它們采用集成封裝,確保在各種工作條件下的低噪聲輸出。這些運算放大器是OSI光電工程師為兼容我們的光電二極管而專門選擇的。其中許多具體參數包括低噪聲、低漂移和擁有由外部反饋元件決定的增益和帶寬能力。從直流電平到幾兆赫的操作是可能的,既可以在低速、低漂移的應用中采用無偏置配置,也可以在更快的響應時間中采用偏置配置。&nbs……
           華東西北 Daisy Lee
          18602170419 同微信 可掃碼
           daisy@microphotons.com
           西南東北華中 Tina
          13124873453 同微信 可掃碼
           hongyu.chen@microphotons.com
          產品型號 2
          貨號 操作 名稱
          A80140017  8-10周    光電二極管放大器混合器 200-1100nm   [PDF] 光譜范圍200-1100nm;響應度:(A/W)0.14@254nm; 有效面積(100mm2)    價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服
          E80040029  8-10周    光電二極管放大器混合器 350-1100nm   [PDF] 光譜范圍350-1100nm;響應度:(A/W)0.65@970nm; 有效面積(5.1mm2);封裝形式30 / TO-5 
          總覽

          硅 Si Photop?系列,將光電二極管和運算放大器集合在同一封裝中。Photops?通用檢測器的光譜范圍為350nm至1100nm或200nm至1100nm。它們采用集成封裝,確保在各種工作條件下的低噪聲輸出。這些運算放大器是OSI光電工程師為兼容我們的光電二極管而專門選擇的。其中許多具體參數包括低噪聲、低漂移和擁有由外部反饋元件決定的增益和帶寬能力。從直流電平到幾兆赫的操作是可能的,既可以在低速、低漂移的應用中采用無偏置配置,也可以在更快的響應時間中采用偏置配置。  

          上述設備的任何改裝都是可能的。改裝可以是簡單地增加一個帶通光學濾波器,在同一封裝內集成額外的芯片(混合)元件,利用不同的運算放大器,替換光電探測器,修改封裝設計和/或安裝在PCB上。











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